MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223

MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223 (TSM1NB60CW RPG)

Part Number: TSM1NB60CW RPG

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 6.1nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 138pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 39W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: SOT-223
  • Корпус: TO-261-4, TO-261AA

Цена по запросу